Дзякуючы высокачашчыннай структуры дыёда з бар'ерам Шоткі, SiC SBD дасягае высокага напружання больш за 600 В, у той час як максімальнае вытрымлівальнае напружанне крамянёвага SBD складае ўсяго 200 В або каля таго, і яго падзенне напружання ў стане значна ніжэй, чым у крамянёвага дыёда хуткага аднаўлення. яго час аднаўлення адключэння меншы, такім чынам, страты пры адключэнні меншыя, што прыводзіць да зніжэння электрамагнітных перашкод EMI. Выкарыстанне SiC SBD для замены асноўнага прадукту, крэмніевага дыёда хуткага аднаўлення FRD, можа значна знізіць агульныя страты, павысіць эфектыўнасць крыніцы харчавання і дзякуючы высокачашчыннай працы дасягнуць мініяцюрызацыі такіх пасіўных кампанентаў, як індуктары і кандэнсатары. , і электрамагнітныя перашкоды EMI ніжэй. Карбід крэмнію SBD можа шырока выкарыстоўвацца ў кандыцыянерах паветра, крыніцах сілкавання, інвертарах у фотаэлектрычных сістэмах выпрацоўкі электраэнергіі, сістэмах рухавікоў для электрамабіляў і хуткіх зарадных прыладах.